イオン注入による低プロセスCMOSの作製移動度６０cm2/Vsを達成（12536）

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概要

大面積に亘って薄膜トランジスタ（TFT）でCMOSを作製できる技術を確立したい。
２次元層状物質を用いること、およびイオン注入技術でpn制御を行うことで高性能なCMOSができることを実証した。

・スパッタ法により大画面の高性能半導体薄膜を作製。
・イオン注入でn型を作製。→CMOS化が容易に可能。

従来の技術・問題点

・酸化物半導体では、ｎ型は作製できるが、ｐ型は困難。

新しい技術・解決法

・スパッタで作成した層状物質にイオン注入を行うことでpｎ変換し一括でＴＦＴを作製することに
成功しました。

・高性能・低コストな大画面TFTを開発したい。
・ディスプレイ用高性能トランジスタの開発に興味がある。

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