日本大学 産官学連携知財センター(NUBIC) Nihon University Business, Research and Intellectual Property Center
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材料 の検索結果：31件
イオン注入による低プロセスCMOSの作製移動度６０cm2/Vsを達成（12536）
二硫化モリブデン等の層状物質にイオン注入を行うことで，p型とn型の型変換を簡易に行うことのできる方法を見出しました。日本発の低コスト・高性能ＴＦＴ作製技術の確立に貢献します。 詳細を見る
